A.壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
B.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大則說明該晶片的發(fā)射性能好
C.壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
D.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
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A.壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
B.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
C.壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
D.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
A.所有的液體(水除外),其聲速都隨著溫度的升高而增大
B.所有的液體(水除外),其聲速都隨著溫度的升高而降低
C.當(dāng)溫度低于74℃時(shí),聲速隨溫度的升高而增大
D.當(dāng)水的溫度在74℃左右時(shí),水的聲速最大
A.當(dāng)斜楔前面磨損較大時(shí),折射角減小
B.當(dāng)斜楔前面磨損較大時(shí)折射角增大
C.當(dāng)斜楔后面磨損較大時(shí),折射角減小
D.當(dāng)斜楔后面磨損較大時(shí),折射角增大
A.當(dāng)薄層厚度為其半波長的奇數(shù)倍時(shí),反射波最高
B.當(dāng)薄層厚度為其半波長的偶數(shù)倍時(shí),反射波最高
C.當(dāng)薄層厚度為其四分之一波長的奇數(shù)倍時(shí),反射波最高
D.當(dāng)薄層厚度為其四分之一波長的偶數(shù)倍時(shí),反射波最高
A.白點(diǎn)是一種非金屬夾雜物
B.白點(diǎn)通常發(fā)生在鍛件中心部位
C.白點(diǎn)的回波清晰尖銳往往有多個(gè)波峰同時(shí)出現(xiàn)
D.一旦判斷是白點(diǎn)缺陷該鍛件即為不合格
最新試題
動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
爬波在自由表面的位移有垂直分量,但不是純粹的表面波。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
超聲波在圓柱內(nèi)反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換,且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波,返回探頭接收,會形成等邊的三角形遲到回波。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
衍射時(shí)差法對缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。
對于圓柱體而言,外圓徑向檢測實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波高于平底面,會使定量誤差增加。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會使定量誤差增加,精度下降。