多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于探頭壓電晶片的說法中,正確的是()。

A.壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
B.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
C.壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
D.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好


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1.多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于液體聲速與溫度的關(guān)系的說法中,正確的是()。

A.所有的液體(水除外),其聲速都隨著溫度的升高而增大
B.所有的液體(水除外),其聲速都隨著溫度的升高而降低
C.當(dāng)溫度低于74℃時(shí),聲速隨溫度的升高而增大
D.當(dāng)水的溫度在74℃左右時(shí),水的聲速最大

2.多項(xiàng)選擇題橫波斜探頭在檢測過程中斜楔會(huì)受到磨損,下列敘述正確的是()。

A.當(dāng)斜楔前面磨損較大時(shí),折射角減小
B.當(dāng)斜楔前面磨損較大時(shí)折射角增大
C.當(dāng)斜楔后面磨損較大時(shí),折射角減小
D.當(dāng)斜楔后面磨損較大時(shí),折射角增大

3.多項(xiàng)選擇題當(dāng)工件中存在異質(zhì)薄層時(shí),下列敘述中錯(cuò)誤的是()。

A.當(dāng)薄層厚度為其半波長的奇數(shù)倍時(shí),反射波最高
B.當(dāng)薄層厚度為其半波長的偶數(shù)倍時(shí),反射波最高
C.當(dāng)薄層厚度為其四分之一波長的奇數(shù)倍時(shí),反射波最高
D.當(dāng)薄層厚度為其四分之一波長的偶數(shù)倍時(shí),反射波最高

4.多項(xiàng)選擇題以下有關(guān)鍛件白點(diǎn)缺陷的敘述,()是正確的。

A.白點(diǎn)是一種非金屬夾雜物
B.白點(diǎn)通常發(fā)生在鍛件中心部位
C.白點(diǎn)的回波清晰尖銳往往有多個(gè)波峰同時(shí)出現(xiàn)
D.一旦判斷是白點(diǎn)缺陷該鍛件即為不合格

5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于液浸聚焦探頭,正確的是()。

A.焦距越小,聚焦效果就越好
B.焦距應(yīng)比近場長度長
C.線聚焦探頭檢測速度快
D.點(diǎn)聚焦探頭檢測靈敏度較高

最新試題

超聲波在圓柱內(nèi)反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換,且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波,返回探頭接收,會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。

題型:判斷題

當(dāng)工件內(nèi)應(yīng)力與波的傳播方向一致時(shí),若應(yīng)力為壓縮應(yīng)力,則應(yīng)力作用會(huì)使工件彈性增加,導(dǎo)致聲速減慢。

題型:判斷題

對于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。

題型:判斷題

由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。

題型:判斷題

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

題型:判斷題

儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒有對準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。

題型:判斷題

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。

題型:判斷題

在檢測晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

題型:判斷題

缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。

題型:判斷題

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

題型:判斷題