那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。