載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

硅片拋光在原理上不可分為（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。