晶體管電路如圖所示。已知β＝100，U_BE＝-0.3V。
（1）估算直流工作點(diǎn)I_CQ、U_CEQ。 
（2）若偏置電阻R_B1、R_B2分別開路，試分別估算集電極電位U_C值，并說明各自的工作狀態(tài)。 
（3）若R_B2開路時(shí)要求I_CQ＝2mA，試確定R_B1應(yīng)取多大值。

如圖（a）、（b）所示分別為固定偏置和分壓式電流負(fù)反饋偏置放大電路。兩個(gè)電路中的晶體管相同，U_BE（on）=0.6V。在20℃時(shí)晶體管的β=50，55℃時(shí)，β=70。試分別求兩種電路在20℃時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)，以及溫度升高到55℃時(shí)由于β的變化引起I_CQ的改變程度。

硅晶體管電路如圖所示。設(shè)晶體管的U_BE（on）=0.7V，β=100。判別電路的工作狀態(tài)。

某晶體管的共射輸出特性曲線如圖所示。
（1）求I_BQ=0.3mA時(shí)，Q₁、Q₂點(diǎn)的β值。
（2）確定該管的U_（BR）CEO和P_CM。

N+PN型晶體管基區(qū)的少數(shù)載流子的濃度分布曲線如圖所示，其中n_b0表示平衡時(shí)自由電子的濃度。 
（1）說明每種濃度分布曲線所對(duì)應(yīng)的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置狀態(tài)。 
（2）說明每種濃度分布曲線所對(duì)應(yīng)的晶體管的工作狀態(tài)。