晶體管電路如圖所示。已知β＝100，UBE＝-0.3V。
（1）估算直流工作點(diǎn)ICQ、UCEQ。
（2）若偏置電阻RB1、RB2分別開(kāi)路，試分別估算集電極電位UC值，并說(shuō)明各自的工作狀態(tài)。
（3）若RB2開(kāi)路時(shí)要求ICQ＝2mA，試確定RB1應(yīng)取多大值。
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已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?電路如圖所示，如果電容C2開(kāi)路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
可以通過(guò)新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào)，輸出信號(hào)為電流信號(hào)，則以下描述正確的有（）。?
?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器，若采樣時(shí)間0.01s，那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少？（）
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來(lái)自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。