A、兩根實(shí)線(xiàn)
B、單根實(shí)線(xiàn)加箭頭
C、單根虛線(xiàn)
D、兩根實(shí)線(xiàn)加箭頭
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A、改變調(diào)整管的放大倍數(shù)
B、調(diào)整取樣電路中的電位器
C、基準(zhǔn)電路的穩(wěn)壓值
D、改變調(diào)整管的導(dǎo)通與截止時(shí)間的長(zhǎng)短
A、電磁
B、電場(chǎng)
C、熱
D、冷
A、低于500KHZ
B、高于100KHz
C、低于100KHz
D、高于500KHz
A、越小
B、越大
C、成正比增大
D、與溫度系數(shù)無(wú)關(guān)
A、電阻器
B、類(lèi)似云母電容器的扁平元器件
C、滌綸電容
D、二極管
最新試題
J型引線(xiàn)器件的焊接，引線(xiàn)搭焊在焊盤(pán)上的長(zhǎng)度，應(yīng)不小于（）
下列哪一項(xiàng)符合導(dǎo)線(xiàn)與壓線(xiàn)筒相互匹配的要求（）
下列哪一項(xiàng)不屬于導(dǎo)線(xiàn)整機(jī)布線(xiàn)應(yīng)遵循的要求（）
對(duì)元器件引線(xiàn)的氧化層去除，下述描述錯(cuò)誤的是（）
手工焊接MOS集成電路時(shí)先焊接（），后焊接（）
元器件若安裝在裸露電路之上，引線(xiàn)成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有（）的間隙，但最大距離一般不應(yīng)超過(guò)（）
再流焊爐內(nèi)的基本溫度區(qū)域不包括（）
扁平、帶狀、L型、翼形、圓形、扁圓形引線(xiàn)器件的焊接，引線(xiàn)根部（腳跟）距內(nèi)側(cè)焊盤(pán)邊緣的距離，應(yīng)不小于（）
J型引線(xiàn)器件的焊接，引線(xiàn)底部焊料填充高度，應(yīng)不大于（）
使用錫鍋對(duì)導(dǎo)線(xiàn)芯線(xiàn)進(jìn)行搪錫時(shí)溫度為（），時(shí)間為1s~2s，使用電烙鐵搪錫時(shí)溫度為（）搪錫時(shí)間不大于3s。