摻雜后，退火的目的是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）