如圖所示電路中，設(shè)電路中VCC＝12V，各個(gè)電容的容量足夠大，Rb1＝Rc＝RL＝5kΩ，Rb2＝25kΩ，Re＝1kΩ，Rf＝300Ω，晶體管的β＝100，UBE＝0.7V，rbb’＝100Ω。
（1）估算電路靜態(tài)工作點(diǎn)。
（2）計(jì)算電壓放大倍數(shù)Au、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。
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電路如圖所示，求輸出電壓的表達(dá)式。
反饋電路如圖所示，試回答：
⑴該電路引入了何種反饋（極性和組態(tài)）；
⑵該反饋對(duì)輸入和輸出電阻有何影響（增大或減?。?br /> ⑶在深度負(fù)反饋條件下，求電壓增益Auf。
最新試題
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。
?TTL或非門(mén)組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)？?（）
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?已知Nexys4開(kāi)發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來(lái)產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào)，請(qǐng)問(wèn)該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來(lái)自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。