為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？