版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

材料根據流經材電流的不同可分為三類（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

集成電容主要有幾種結構？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

版圖設計的基本前提是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？