單項選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
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1.多項選擇題鑒定加速試驗中，溫度相關(guān)的試驗包括（）。
A.恒溫試驗
B.功率溫度組合循環(huán)試驗
C.溫度循環(huán)試驗
D.熱沖擊試驗
2.單項選擇題溫度循環(huán)試驗是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
3.多項選擇題集成電路的電學(xué)測試包括功能測試和參數(shù)測試，以下屬于電學(xué)測試的為（）。
A.電流
B.電場強度
C.電壓
D.阻抗
4.單項選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法，屬于破壞性測試的為（）。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
5.單項選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
最新試題
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題