下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）