A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.3%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
PN結的基本特性是()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()