單項(xiàng)選擇題玻璃生產(chǎn)中高嶺土的技術(shù)要求是()。
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
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1.單項(xiàng)選擇題玻璃生產(chǎn)中長(zhǎng)石的技術(shù)要求是:()。
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.3%
2.單項(xiàng)選擇題滑石的化學(xué)通式為:()。
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
3.單項(xiàng)選擇題CaCO3·MgCO3是下列哪種礦物的分子式()。
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
4.單項(xiàng)選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是()。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
5.單項(xiàng)選擇題黏土中的氧化鎂含量應(yīng)小于()。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
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硅片拋光在原理上不可分為()
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題