單項選擇題滑石的化學通式為:()。
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題CaCO3·MgCO3是下列哪種礦物的分子式()。
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
2.單項選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是()。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
3.單項選擇題黏土中的氧化鎂含量應小于()。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
4.單項選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中,為便于配料又不摻硅質(zhì)校正原料,要求黏土質(zhì)原料的SiO2與Al2O3和Fe2O3之和之比最好為()。
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
5.單項選擇題按照[SiO4]4-的連接方式,石英有三種存在狀態(tài),870℃以下穩(wěn)定存在的是()
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題