A.鈦酸鋇
B.硫酸鋰
C.鈮酸鋰
D.石英
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A.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
B.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大則說明該晶片的發(fā)射性能好
C.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
D.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
A.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
B.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
C.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
D.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
A.所有的液體(水除外),其聲速都隨著溫度的升高而增大
B.所有的液體(水除外),其聲速都隨著溫度的升高而降低
C.當溫度低于74℃時,聲速隨溫度的升高而增大
D.當水的溫度在74℃左右時,水的聲速最大
A.當斜楔前面磨損較大時,折射角減小
B.當斜楔前面磨損較大時折射角增大
C.當斜楔后面磨損較大時,折射角減小
D.當斜楔后面磨損較大時,折射角增大
A.當薄層厚度為其半波長的奇數(shù)倍時,反射波最高
B.當薄層厚度為其半波長的偶數(shù)倍時,反射波最高
C.當薄層厚度為其四分之一波長的奇數(shù)倍時,反射波最高
D.當薄層厚度為其四分之一波長的偶數(shù)倍時,反射波最高
最新試題
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時,接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會產(chǎn)生強烈的聲束擴散。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進入試件的檢測的方法。
在檢測晶粒粗大和大型工件時,應測定材料的衰減系數(shù),計算時應考慮介質(zhì)衰減的影響。
缺陷垂直時,擴散波束入射至缺陷時回波較高,而定位時就會誤認為缺陷在軸線上,從而導致定位不準。
水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
對于比正??v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。
非金屬夾雜等缺陷的聲阻抗與鋼的聲阻抗相差很小,聲波在缺陷上的透射和吸收明顯高于白點和氣孔等缺陷。
超聲波在圓柱內(nèi)反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換,且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波,返回探頭接收,會形成等邊的三角形遲到回波。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
衍射時差法探傷,當有缺陷存在時,在直通波和底面反射波之間,接收探頭會接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。