填空題同時(shí)減?。ǎ┡c(),可在保持漏源間電流不變的前提下減小器件面積,提高電路集成度。因此,縮短MOSFET尺寸是VLSI發(fā)展的趨勢(shì)。
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最新試題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題