刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

CMP的設備構成包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）