問(wèn)答題

答案：優(yōu)點(diǎn)：精確控制雜質(zhì)含量、很好的雜質(zhì)均勻性、對(duì)雜質(zhì)穿透深度有很好的控制、產(chǎn)生單一離子束、低溫工藝、注入的離子能穿過(guò)薄膜、無(wú)...

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答案：

答案： A.熱擴(kuò)散：利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過(guò)硅的晶格結(jié)構(gòu)。這種方法受到時(shí)間和溫度的影響
B.離子注入：通過(guò)高壓離子轟擊把雜...