刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。