制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。