只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。