填空題純金屬中常見的面缺陷有()和()。
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可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
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如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
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下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
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影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題