A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
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A、每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
A、一個(gè)
B、二個(gè)
C、若干個(gè)
D、三個(gè)
E、以上都不對(duì)
A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗(yàn)報(bào)告
C、砂漿試塊試驗(yàn)報(bào)告
D、產(chǎn)品使用說明書
A.10萬
B.8萬
C.6萬
D.3萬
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。