A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
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A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機(jī)布置的,n個測點,在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點(試件)
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6~10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測點:門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體;獨立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()