A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
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A.同一墻體的各測點之間，水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m，垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機布置的，n個測點，在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點（試件）
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6～10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測點：門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)，后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體；獨立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
可用作硅片的研磨材料是（）
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）