單項選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家，燒結普通磚、混凝土實心磚沒（）為一檢驗批，不足數(shù)量時按1批計，抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
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1.單項選擇題夾心復合墻的砌筑，拉結件設置應符合設計要求，拉結件在葉墻上的擱置長度不應小于葉墻厚度的2/3，并不應小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
2.單項選擇題配置砌筑砂漿時，各組分材料應采用質量計量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
3.單項選擇題砌筑砂漿應進行配合比設計，當砌體為燒結普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時，其砂漿稠度應為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
4.單項選擇題扁頂法的特點有（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結果綜合反映了材料質量和施工質
B.直觀性，可比性強
C.砌體強度較高或軸向變形較大時，容易測出抗壓強度
D.檢測部位局部破損
5.單項選擇題砌筑基礎前，應校核防線尺寸，長度L或寬度B≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題