單項選擇題磚砌體組砌方法應(yīng)正確,內(nèi)外搭砌,上下錯縫?;焖畨χ胁坏糜虚L度大于300mm的通縫,長度200-300mm的通縫每間不超過()處,且不得位于同一面墻體上。
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
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1.單項選擇題在抗震設(shè)防烈度為8度及8度以上地區(qū),對不能同時砌筑而又必須六只的臨時間斷處應(yīng)砌成斜槎,普通磚砌體斜槎水平投影長度不應(yīng)小于高度的()。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
2.單項選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家,燒結(jié)普通磚、混凝土實心磚沒()為一檢驗批,不足數(shù)量時按1批計,抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
3.單項選擇題夾心復(fù)合墻的砌筑,拉結(jié)件設(shè)置應(yīng)符合設(shè)計要求,拉結(jié)件在葉墻上的擱置長度不應(yīng)小于葉墻厚度的2/3,并不應(yīng)小于()。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
4.單項選擇題配置砌筑砂漿時,各組分材料應(yīng)采用質(zhì)量計量,水泥及各種外加劑配料的允許偏差為()。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
5.單項選擇題砌筑砂漿應(yīng)進(jìn)行配合比設(shè)計,當(dāng)砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時,其砂漿稠度應(yīng)為()。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題