單項(xiàng)選擇題砌筑砂漿應(yīng)進(jìn)行配合比設(shè)計(jì)，當(dāng)砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時，其砂漿稠度應(yīng)為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法的特點(diǎn)有（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時，容易測出抗壓強(qiáng)度
D.檢測部位局部破損
2.單項(xiàng)選擇題砌筑基礎(chǔ)前，應(yīng)校核防線尺寸，長度L或?qū)挾菳≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
3.單項(xiàng)選擇題各種檢測強(qiáng)度的最終計(jì)算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強(qiáng)度和抗剪強(qiáng)度均應(yīng)精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
4.單項(xiàng)選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計(jì)離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗(yàn)法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)?。ǎ?。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
5.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點(diǎn)的間距不應(yīng)小于（），每一彈擊點(diǎn)應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題