單項選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)?。ǎ?。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
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1.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應(yīng)小于（），每一彈擊點應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
3.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強
D.設(shè)備較輕
4.單項選擇題點荷法試件破壞后應(yīng)拼接成原樣，并測量荷載作用半徑，應(yīng)精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
5.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測內(nèi)容主要有強度和施工質(zhì)量，其中強度不包括（）。
A.塊材強度
B.砂漿強度
C.抹灰強度
D.砌體強度
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題