單項選擇題砌筑基礎(chǔ)前，應(yīng)校核防線尺寸，長度L或?qū)挾菳≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
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1.單項選擇題各種檢測強度的最終計算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強度和抗剪強度均應(yīng)精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
2.單項選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)?。ǎ?/a>
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
3.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應(yīng)小于（），每一彈擊點應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
5.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強
D.設(shè)備較輕
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題