單項選擇題各種檢測強度的最終計算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強度和抗剪強度均應精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
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1.單項選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計離群值，應按《GB/T4883》中有關檢驗法檢出和剔除，檢出水平a應取（）。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
2.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應小于（），每一彈擊點應只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
3.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
4.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強
D.設備較輕
5.單項選擇題點荷法試件破壞后應拼接成原樣，并測量荷載作用半徑，應精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題