單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點(diǎn)，選定彈擊點(diǎn)時(shí)應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法的特點(diǎn)不包括（）。
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測(cè)部位局部破損
C.直觀性，可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
2.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法試件破壞后應(yīng)拼接成原樣，并測(cè)量荷載作用半徑，應(yīng)精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
3.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測(cè)內(nèi)容主要有強(qiáng)度和施工質(zhì)量，其中強(qiáng)度不包括（）。
A.塊材強(qiáng)度
B.砂漿強(qiáng)度
C.抹灰強(qiáng)度
D.砌體強(qiáng)度
4.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法制備試件，應(yīng)在砂漿試件上畫出作用點(diǎn)，并應(yīng)量測(cè)其厚度，應(yīng)精確至（）。
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
5.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法所用壓力試驗(yàn)機(jī)鋼質(zhì)加荷頭圓錐體內(nèi)角應(yīng)為（）度。
A.30
B.45
C.60
D.75
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題