A.30
B.45
C.60
D.75
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A.50kN
B.60kN
C.80kN
D.100kN
A.2
B.3
C.4
D.5
A.測試時(shí)，應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開鑿好的孔洞中，并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過長時(shí)，在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀，應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對(duì)位移，試件達(dá)到破壞狀態(tài)
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列是晶體的是（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
PN結(jié)的基本特性是（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）