單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在計(jì)算每個(gè)測位回彈值算術(shù)平均值時(shí)，應(yīng)精確到（）。
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在每個(gè)測位內(nèi)，測碳化深度時(shí)，應(yīng)選擇3處灰縫，鑿出孔洞直徑約為（）。
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在每個(gè)彈擊點(diǎn)上，應(yīng)使用回彈儀連續(xù)彈擊（），記錄最后一次回彈值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每個(gè)測位應(yīng)均勻布置（）彈擊點(diǎn)，選定彈擊點(diǎn)應(yīng)避開磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法彈擊點(diǎn)處應(yīng)磨掉表面砂漿，深度應(yīng)為（）。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
5.單項(xiàng)選擇題位雙剪法檢測時(shí)，下列哪個(gè)部位可以布設(shè)測點(diǎn)（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題