A.2
B.3
C.4
D.5
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.測(cè)試時(shí)，應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開(kāi)鑿好的孔洞中，并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開(kāi)鑿孔洞過(guò)長(zhǎng)時(shí)，在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過(guò)程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀，應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對(duì)位移，試件達(dá)到破壞狀態(tài)
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。