單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結普通磚、燒結多孔磚的砌筑砂漿強度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
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1.單項選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應力時，以下哪個要求不正確（）。
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
2.單項選擇題原位雙剪法當采用釋放時間上部壓應力σ的測試方案時，應掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
3.單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術指標中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
4.單項選擇題原位雙剪法同一墻體的各個測點之間，水平方向凈距不應小于（）。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
5.單項選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設測點（）。
A.門、窗洞口側邊100mm范圍內
B.門、窗洞口側邊110mm范圍內
C.門、窗洞口側邊120mm范圍內
D.門、窗洞口側邊130mm
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題