單項選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應力時，以下哪個要求不正確（）。
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
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1.單項選擇題原位雙剪法當采用釋放時間上部壓應力σ的測試方案時，應掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
2.單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術指標中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
3.單項選擇題原位雙剪法同一墻體的各個測點之間，水平方向凈距不應小于（）。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
4.單項選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設測點（）。
A.門、窗洞口側邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側邊130mm
5.單項選擇題原位雙剪法在測區(qū)內(nèi)選擇測點是，試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
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可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
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題型：多項選擇題
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題型：單項選擇題
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題