單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術(shù)指標(biāo)中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
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1.單項選擇題原位雙剪法同一墻體的各個測點之間，水平方向凈距不應(yīng)小于（）。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
2.單項選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設(shè)測點（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
3.單項選擇題原位雙剪法在測區(qū)內(nèi)選擇測點是，試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
4.單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時，應(yīng)根據(jù)測試儀表的校驗結(jié)果，進(jìn)行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
5.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題