單項(xiàng)選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸,應(yīng)精確到()。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
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1.單項(xiàng)選擇題原位單剪法在選定的墻體上,現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強(qiáng)度等級不應(yīng)低于()。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
2.單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備,在檢測前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對誤差不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
3.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下()磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
4.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后,試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護(hù)()后,再進(jìn)行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
5.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件運(yùn)至試驗(yàn)室后,試件上下表面修理平整,頂面應(yīng)用()找平。
A.1:1水泥砂漿
B.1:2水泥砂漿
C.1:3水泥砂漿
D.1:4水泥砂漿
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項(xiàng)選擇題