單項(xiàng)選擇題原位雙剪法在測區(qū)內(nèi)選擇測點(diǎn)是，試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
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1.單項(xiàng)選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時，應(yīng)根據(jù)測試儀表的校驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
2.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
3.單項(xiàng)選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強(qiáng)度等級不應(yīng)低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
4.單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備，在檢測前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對誤差不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
5.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下（）磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題