單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時,應根據(jù)測試儀表的校驗結果,進行荷載換算,并應精確到()。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
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1.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸,應精確到()。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
2.單項選擇題原位單剪法在選定的墻體上,現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強度等級不應低于()。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
3.單項選擇題原位單剪法所用儀器設備,在檢測前應標定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對誤差不應大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
4.單項選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下()磚范圍內.
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
5.單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后,試件上下表面的砂漿應在自然養(yǎng)護()后,再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
PN結的基本特性是()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題