PN結的基本特性是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；