下列是晶體的是（）。 

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。