表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

改良西門子法的顯著特點不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。