雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

PN結(jié)的基本特性是（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）