雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）