MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

版圖設計的基本前提是什么？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

什么是MOS器件的體效應？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

集成電容主要有幾種結構？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。