判斷題硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活，并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置，沒(méi)有被電學(xué)激活。
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最新試題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
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什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
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集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
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根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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